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横山 淳; 大場 弘則; 橋本 雅史; 勝又 啓一; 赤木 浩; 石井 武*; 大家 暁雄*; 荒井 重義*
Applied Physics B, 79(7), p.883 - 889, 2004/11
被引用回数:10 パーセンタイル:42(Optics)シリコン同位体分離を2振動数COレーザー光照射によるSiFの赤外多光子解離を利用して行った。2振動数光照射により高い分離係数を維持したまま分離効率を向上させることができた。例えば、966.23cm(0.089J/cm)と954.55cm(0.92J/cm)の光を100パルス同時に照射し、SiFを40%分解させることでSi同位体純度99.4%のSiFが得られた。一方、954.55cmの光(0.92J/cm)のみでは同位体純度99.0%のSiFを得るのに1000パルスの照射が必要であった。SiとSiの1パルス照射あたりの分離係数は、SiF圧の増加に伴って増大した。この圧力効果の原因について周囲の気体との衝突による回転及び振動緩和の観点から議論した。
大橋 弘史; 稲垣 嘉之
JAERI-Tech 2003-046, 47 Pages, 2003/05
炉外技術開発試験の試験項目の1つとして、HTTR水素製造システムと同温度・圧力条件下で水蒸気改質反応特性を明らかにすることを計画している。炉外技術開発試験における反応特性評価をより正確に実施するために、実験室規模の装置を用いて、メタン流量1.1810~3.1910mol/s,反応温度500~900,圧力1.1~4.1MPa,メタンに対する水蒸気のモル比2.5~3.5の条件下で、装置に依存しない触媒固有の性能である活性化エネルギーの評価を行った。この結果、炉外技術開発試験装置で使用する2種類のニッケル触媒の見かけの活性化エネルギーは、51.4及び57.4kJ/molであり、反応速度定数は圧力の-0.15~-0.33乗に比例することを明らかにした。